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Goodram IRDM M.2 512 GB PCI Express 3.0 3D TLC NVMe
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Goodram IRDM M.2 512 GB PCI Express 3.0 3D TLC NVMe

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Goodram IRDM. SDD, capacidad: 512 GB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 3200 MB/s, Velocidad de escritura: 2000 MB/s, Componente para: PC/ordenador portátil
Características
Factor de forma de disco SSDM.2
SDD, capacidad512 GB
InterfazPCI Express 3.0
Tipo de memoria3D TLC
NVMeSi
Versión NVMe1.3
Componente paraPC/ordenador portátil
Velocidad de lectura3200 MB/s
Velocidad de escritura2000 MB/s
Lectura aleatoria (4KB)295000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)500000 IOPS
Tipo de controladorPhison E12
Carriles datos de interfaz PCI Expressx4
Tiempo medio entre fallos1800000 h
calificación TBW300
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa0 - 70 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje-45 - 85 °C
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